Вы здесь: Новости Hardware Hynix и Toshiba объединятся для создания MRAM-памяти
 
 

Hynix и Toshiba объединятся для создания MRAM-памяти

Hynix и Toshiba объединятся для создания MRAM-памятиПресс-службы компаний Hynix и Toshiba объявили о начале совместного проекта. Специалисты обоих фирм собираются создать магниторезистивную память с произвольным доступом.

Магниторезистивная память или MRAM, согласно задумке, будет хранить информацию, используя магнитный моменты, объединяя преимущества динамической и флеш-памяти. MRAM-микросхемы предоставляют максимально возможное на сегодня время доступа, одновременно обладая возможностью хранить данные без питания. Характеристики MRAM со временем не ухудшаются, чем технология выгодно отличается от технологии флеш-памяти.

Уже известно, что специалисты Hynix и Toshiba сосредоточатся на переключении при помощи переноса спина. Эта методика потребуется для того, чтобы решить задачи, которые будут возникать при возрастании плотности ячеек памяти, а также увеличении тока записи – Spin-Transfer Torque поможет решить MRAM-технологии задачки, с которыми она ранее не справлялась.

MRAM-память универсальна, а потому сможет найти применение в различных устройствах: компьютерах, смартфонах, бытовой технике. О том, когда ожидать начала массового производства MRAM-чипов, обе компании пока умалчивают.

 
 
 
 

Вход для клиентов

Последние новости

Наш адрес

г. Ижевск, ул. Коммунаров, 349, магазин цифровой техники "1024"

г. Москва, ул. Маршала Бирюзова, д. 16, корп. 3